发明名称 | 具蚀刻停止层的磊晶结构及其制造方法 | ||
摘要 | 一种具蚀刻停止层的磊晶结构及其制造方法,所述制造方法包含以下步骤:首先,于一层第一基板上成长一图样化牺牲层,该第一基板部分面积露出,未受该图样化牺牲层遮盖,接着,于该第一基板部分露出面积与图样化牺牲层上,侧向磊晶成长一层暂时磊晶层,而后,于该暂时磊晶层上成长一层蚀刻停止层,再来,于该蚀刻停止层上成长一层磊晶结构层,通过该蚀刻停止层形成于该磊晶结构层的下方,因此,后续在蚀刻移除该图样化牺牲层、该暂时磊晶层时,不至过度蚀刻该磊晶结构层,进而维持光电元件品质。 | ||
申请公布号 | CN102569551A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
申请号 | CN201110428930.3 | 申请日期 | 2011.12.20 |
申请人 | 李德财 | 发明人 | 武东星;洪瑞华;蔡宗晏 |
分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人 | 张雅军 |
主权项 | 一种具蚀刻停止层的磊晶结构的制造方法,其特征在于该制造方法包含以下步骤:一、于一层第一基板上成长一层图样化牺牲层,该第一基板部分面积露出,未受该图样化牺牲层遮盖;二、于该第一基板部分露出面积与图样化牺牲层上,侧向磊晶成长一层暂时磊晶层;三、于该暂时磊晶层上成长一层蚀刻停止层;四、于该蚀刻停止层上成长一层磊晶结构层。 | ||
地址 | 中国台湾台中市 |