基板清洗设备及方法、在MOS结构中形成栅极绝缘膜的方法

摘要

本发明提供基板清洗设备及方法、在MOS结构中形成栅极绝缘膜的方法，等离子体形成室具有高频施加电极，其具有通孔，比值V2/V1被设定在0.01至0.8的范围，V1是高频施加电极的包括通孔在内的总体积，V2是通孔的总体积；等离子体约束电极板具有自由基导入孔和处理气体导入孔，等离子体约束电极板配置成与基板保持件的基板支撑面相面对且被电接地，自由基导入孔配置成允许等离子体中的中性自由基通过该孔而进入基板清洗处理室中，同时阻止等离子体中的带电粒子通过该孔，处理气体经由处理气体导入孔导入到基板清洗处理室中，从等离子体约束电极板的表面朝向放置于基板保持件的基板的表面导入自由基和处理气体，以对基板进行清洗。

主权项

一种基板清洗设备，所述基板清洗设备包括等离子体形成室(108)、容纳有基板保持件的基板清洗处理室(121)、将所述等离子体形成室与所述基板清洗处理室分隔开的等离子体约束电极板(110)，其中：在所述等离子体形成室中具有与所述等离子体约束电极板平行地沿所述等离子体形成室的横向延伸的板状的高频施加电极，所述高频施加电极具有多个通孔(105)，所述通孔从所述高频施加电极的前表面贯通到后表面地形成，比值V2/V1被设定在0.01至0.8的范围，其中，V1是所述高频施加电极的包括所述通孔在内的总体积，V2是所述通孔的总体积；所述等离子体约束电极板具有多个自由基导入孔(111)，所述自由基导入孔被分布形成于所述等离子体约束电极板的表面，用于使所述等离子体形成室与所述基板清洗处理室连通；所述等离子体约束电极板还具有多个处理气体导入孔，所述处理气体导入孔被分布形成于所述等离子体约束电极板的表面，并且所述处理气体导入孔与所述自由基导入孔的至少一部分并置；以及所述等离子体约束电极板被配置成与所述基板保持件的基板支撑面相面对并且被电接地，所述自由基导入孔被配置成允许在所述等离子体形成室中产生的等离子体中的中性自由基通过所述自由基导入孔而进入到所述基板清洗处理室中，同时阻止在所述等离子体形成室中产生的等离子体中的带电粒子通过所述自由基导入孔，所述处理气体经由所述处理气体导入孔被导入到所述基板清洗处理室中，从所述等离子体约束电极板的表面朝向放置于所述基板保持件的基板的表面导入所述自由基和所述处理气体二者，其中，所述带电粒子是离子。