制造氧化物半导体场效应晶体管的方法

摘要

提供一种制造场效应晶体管的方法。场效应晶体管在基板上包括源电极、漏电极、氧化物半导体层、绝缘层和栅电极。所述方法包括在氧化物半导体层上形成绝缘层之后，通过在包含水分的气氛中退火增大氧化物半导体层的电导率的退火步骤。退火步骤的蒸汽压高于退火温度下大气中的饱和蒸汽压。

主权项

一种制造场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管在基板(10)上具有均形成于基板(10)上的源电极(11)、漏电极(12)、氧化物半导体层(13)、蒸汽可渗透的绝缘层(14，17，17”)、和栅电极(15)，所述方法包括在氧化物半导体层上形成蒸汽可渗透的绝缘层之后，通过在包含水分的气氛中退火以增大氧化物半导体层的电导率的退火步骤，其中退火步骤的蒸汽压高于退火温度下1个大气压下的空气中的饱和蒸气压。