薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。在基板上形成栅极以及覆盖栅极的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体通道层；在栅绝缘层及金属氧化物半导体通道层上形成源极及漏极；源极及漏极的形成方法包括下列步骤：依序形成第一导体层及第二导体层，接着在第二导体层上形成图案化光阻层；以图案化光阻层为掩膜并以第一导体层为终止层进行湿式蚀刻，以图案化第二导体层；以图案化光阻层为掩膜进行干式蚀刻，以图案化第一导体层，其中金属氧化物半导体通道层的部分区域被源极及漏极暴露；以含氟的气体对暴露的金属氧化物半导体通道层进行表面处理。本发明可以避免金属氧化物半导体通道层在源极及漏极蚀刻产生结构破坏缺陷，而获得良好的控制。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在一基板上形成一栅极；在所述基板上形成一栅绝缘层，以覆盖所述栅极；所述栅绝缘层上形成一金属氧化物半导体通道层；在所述栅绝缘层及所述金属氧化物半导体通道层上形成一源极及一漏极，而所述源极及所述漏极的形成方法包括：依序形成一第一导体层及一第二导体层；在所述第二导体层上形成一图案化光阻层；以所述图案化光阻层为掩膜并以所述第一导体层为终止层进行一湿式蚀刻，以图案化所述第二导体层；以所述图案化光阻层为掩膜进行一干式蚀刻，以图案化所述第一导体层，其中所述金属氧化物半导体通道层的部分区域被所述源极及所述漏极暴露；以及以含氟的气体对未被所述源极及所述漏极覆盖的所述金属氧化半导体通道层进行一表面处理。