SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要
<p>본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소스/드레인 영역으로 정의되는 수직형 필러 상측과 채널 영역으로 정의되는 수직형 필러 하측의 굵기가 동일하여 수직형 필러가 부러지는 현상을 방지할 수 있는 기술을 개시한다. 이를 위해, 본 발명은 반도체 기판 상부에 형성된 수직한 형태의 필러와, 소스/드레인 예정영역의 필러 측벽에 형성된 스페이서 및 스페이서 하측의 필러 측벽에 형성된 수직형 써라운드 게이트를 포함한다.</p>
