发明名称 一种解决高磷浓度PSG薄膜表面雾状颗粒的工艺方法
摘要 本发明一种解决高磷浓度PSG薄膜表面雾状颗粒的工艺方法,其中,主要包括以下步骤:在反应腔室内的等离子体环境中通入氧气,使所述等离子体与氧气混合,利用等离子体的能量,使得氧气与PSG薄膜中的不稳定的磷原子发生反应,形成位于PSG薄膜表面的一层钝化膜,以防止PSG薄膜中磷与空气中的氢、氧反应。发明一种解决高磷浓度PSG薄膜表面雾状颗粒的工艺方法,有效的使在反应腔室中通入氧气使高密度等离子体与氧气混合,达到磷硅玻璃4的表面形成钝化膜,阻断水气与硼、磷接触造成结晶。
申请公布号 CN102417306A 申请公布日期 2012.04.18
申请号 CN201110265302.8 申请日期 2011.09.08
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 顾梅梅;王科;陈建维;张旭升
分类号 C03C17/00(2006.01)I 主分类号 C03C17/00(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 王敏杰
主权项 一种解决高磷浓度PSG薄膜表面雾状颗粒的工艺方法,其特征在于,主要包括以下步骤:  在反应腔室内的等离子体环境中通入氧气,使所述等离子体与氧气混合,利用等离子体的能量,使得氧气与PSG薄膜中的不稳定的磷原子发生反应,形成位于PSG薄膜表面的一层钝化膜,以防止PSG薄膜中磷与空气中的氢、氧发生反应。
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