发明名称 |
一种解决高磷浓度PSG薄膜表面雾状颗粒的工艺方法 |
摘要 |
本发明一种解决高磷浓度PSG薄膜表面雾状颗粒的工艺方法,其中,主要包括以下步骤:在反应腔室内的等离子体环境中通入氧气,使所述等离子体与氧气混合,利用等离子体的能量,使得氧气与PSG薄膜中的不稳定的磷原子发生反应,形成位于PSG薄膜表面的一层钝化膜,以防止PSG薄膜中磷与空气中的氢、氧反应。发明一种解决高磷浓度PSG薄膜表面雾状颗粒的工艺方法,有效的使在反应腔室中通入氧气使高密度等离子体与氧气混合,达到磷硅玻璃4的表面形成钝化膜,阻断水气与硼、磷接触造成结晶。 |
申请公布号 |
CN102417306A |
申请公布日期 |
2012.04.18 |
申请号 |
CN201110265302.8 |
申请日期 |
2011.09.08 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
顾梅梅;王科;陈建维;张旭升 |
分类号 |
C03C17/00(2006.01)I |
主分类号 |
C03C17/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
一种解决高磷浓度PSG薄膜表面雾状颗粒的工艺方法,其特征在于,主要包括以下步骤: 在反应腔室内的等离子体环境中通入氧气,使所述等离子体与氧气混合,利用等离子体的能量,使得氧气与PSG薄膜中的不稳定的磷原子发生反应,形成位于PSG薄膜表面的一层钝化膜,以防止PSG薄膜中磷与空气中的氢、氧发生反应。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |