一种闪存器件的浮栅结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种闪存器件的浮栅结构及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术中的非易失存储器技术领域。本发明通过在标准闪存工艺中改变浮栅的制作方式，加入三步淀积，两步刻蚀和一步CMP，形成“工”字形浮栅。除此之外其他步骤都和标准闪存工艺相同。本发明可以在不增加额外的光刻板，几乎不增加工艺复杂度的情况下，有效提高耦合系数，降低相邻器件之间的串扰，对提高闪存的编程速度和可靠性有重要作用。

主权项

一种闪存器件的浮栅结构，其特征在于，该浮栅结构的沿沟道宽度方向的截面呈“工”字型，即分为上、中、下三部分，上、下部分宽，中间部分窄。