| 发明名称 | 形成半导体器件的栅极的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种形成半导体器件的栅极的方法。还提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：由支撑衬底、掩埋绝缘层和半导体层组成的衬底；在所述半导体层内彼此间隔形成的第一和第二沟槽以使所述掩埋绝缘暴露出来；和在所述第一和第二沟槽的内侧壁上和在不形成所述沟槽的半导体层上形成的栅极绝缘层；和覆盖所述栅极绝缘层的栅极导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN102361011A | 申请公布日期 | 2012.02.22 |
| 申请号 | CN201110308347.9 | 申请日期 | 2009.05.15 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限会社 | 发明人 | 车韩燮 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：由支撑衬底、掩埋绝缘层和半导体层组成的衬底；在所述半导体层内彼此间隔形成的第一和第二沟槽以使所述掩埋绝缘暴露出来；和在所述第一和第二沟槽的内侧壁上和在不形成所述沟槽的半导体层上形成的栅极绝缘层；和覆盖所述栅极绝缘层的栅极导电层。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道清州市 | ||