用于存储器阵列的动态泄漏控制

摘要

公开了一种存储器电路，其中包括耦合至虚拟电压轨的多个存储器单元。举例来说，所述多个存储器单元可以形成SRAM阵列的子阵列。在虚拟电压轨与电压供应节点之间可以耦合切换电路，并且可以耦合比较器来将虚拟电压轨上呈现的电压电平与参考电压相比较，由此基于所述比较来提供输出信号。该切换电路可以被配置成根据所述输出信号来将虚拟电压轨电耦合至电压供应节点。在一些实施例中，切换电路可以使用PMOS晶体管或NMOS晶体管来实现，但是其他实施例也可以使用其他切换电路。

主权项

一种存储器电路，包括：多个存储器单元，被耦合成通过第一节点接收电力；耦合在所述第一节点与电压供应节点之间的切换电路；比较器，被耦合成将所述第一节点处的电压电平与参考电压电平相比较，并且被配置成根据所述比较来产生输出信号；其中所述切换电路被配置成在处于第一状态时将所述第一节点电耦合至所述电压供应节点，并且被配置成在处于第二状态时将所述第一节点与所述电压供应节点电隔离，其中所述切换电路的第一状态和第二状态取决于所述输出信号。