发明名称 介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷电容器
摘要 本发明揭露一种介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷电容器。介电陶瓷组合物包括主成份、第一掺杂物、第二掺杂物及玻璃质成份。主成份由(BaxSryCa1-x-y)m(TizZr1-z)O3组成,其中0<x<0.6,0.1<y<0.7,0.03<z<0.1且0.8<m<1.2。第一掺杂物与主成份的摩尔比例值介于0.003~0.075之间,且第一掺杂物为锰、铬、钒或铁的氧化物。第二掺杂物与主成份的摩尔比例值介于0.003~0.03之间,且第二掺杂物为钇、铽、镝、钬、铒、铥或镱的氧化物。玻璃质成份与主成份的摩尔比例值介于0.002~0.02之间。此介电陶瓷组合物可在1150℃~1300℃完成烧结致密化。
申请公布号 CN101607819B 申请公布日期 2012.01.25
申请号 CN200910160105.2 申请日期 2009.07.17
申请人 苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司 发明人 裴修祥;吴旻修;王伟宸
分类号 C04B35/49(2006.01)I;H01G4/30(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I 主分类号 C04B35/49(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种介电陶瓷组合物,其特征在于该介电陶瓷组合物包括:主成份,其组成如下:(BaxSryCa1‑x‑y)m(TizZr1‑z)O3,其中0<x<0.6,0.1<y<0.7,0.03<z<0.1且0.8<m<1.2;第一掺杂物,该第一掺杂物与该主成份的摩尔比例值介于0.003~0.075之间,该第一掺杂物为锰、铬、钒或铁的氧化物;第二掺杂物,该第二掺杂物与该主成份的摩尔比例值介于0.003~0.03之间,该第二掺杂物为钇、铽、镝、钬、铒、铥或镱的氧化物;以及玻璃质成份,该玻璃质成份与该主成份的摩尔比例值介于0.002~0.02之间,且该玻璃质成份择自Ma2O、MbO、Mc2O3及MdO2所组成的群组,且该玻璃质成份中MdO2的含量为50wt%以上并低于100wt%,其中元素Ma是选自锂、钠及钾所组成的群组,元素Mb是选自铍、镁、钙、锶及钡所组成的群组,元素Mc是选自硼、铝及镓所组成的群组,元素Md是选自硅及锗所组成的群组。
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