发明名称 |
介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷电容器 |
摘要 |
本发明揭露一种介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷电容器。介电陶瓷组合物包括主成份、第一掺杂物、第二掺杂物及玻璃质成份。主成份由(BaxSryCa1-x-y)m(TizZr1-z)O3组成,其中0<x<0.6,0.1<y<0.7,0.03<z<0.1且0.8<m<1.2。第一掺杂物与主成份的摩尔比例值介于0.003~0.075之间,且第一掺杂物为锰、铬、钒或铁的氧化物。第二掺杂物与主成份的摩尔比例值介于0.003~0.03之间,且第二掺杂物为钇、铽、镝、钬、铒、铥或镱的氧化物。玻璃质成份与主成份的摩尔比例值介于0.002~0.02之间。此介电陶瓷组合物可在1150℃~1300℃完成烧结致密化。 |
申请公布号 |
CN101607819B |
申请公布日期 |
2012.01.25 |
申请号 |
CN200910160105.2 |
申请日期 |
2009.07.17 |
申请人 |
苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司 |
发明人 |
裴修祥;吴旻修;王伟宸 |
分类号 |
C04B35/49(2006.01)I;H01G4/30(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/49(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种介电陶瓷组合物,其特征在于该介电陶瓷组合物包括:主成份,其组成如下:(BaxSryCa1‑x‑y)m(TizZr1‑z)O3,其中0<x<0.6,0.1<y<0.7,0.03<z<0.1且0.8<m<1.2;第一掺杂物,该第一掺杂物与该主成份的摩尔比例值介于0.003~0.075之间,该第一掺杂物为锰、铬、钒或铁的氧化物;第二掺杂物,该第二掺杂物与该主成份的摩尔比例值介于0.003~0.03之间,该第二掺杂物为钇、铽、镝、钬、铒、铥或镱的氧化物;以及玻璃质成份,该玻璃质成份与该主成份的摩尔比例值介于0.002~0.02之间,且该玻璃质成份择自Ma2O、MbO、Mc2O3及MdO2所组成的群组,且该玻璃质成份中MdO2的含量为50wt%以上并低于100wt%,其中元素Ma是选自锂、钠及钾所组成的群组,元素Mb是选自铍、镁、钙、锶及钡所组成的群组,元素Mc是选自硼、铝及镓所组成的群组,元素Md是选自硅及锗所组成的群组。 |
地址 |
215011 江苏省苏州市高新区竹园路99号 |