| 发明名称 | 金属半导体场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种金属半导体场效应晶体管，包括由金属形成的栅极和与栅极形成肖特基接触的由半导体材料形成的沟道区，所述栅极内设有通孔，所述沟道区至少部分位于所述通孔内。与现有技术相比，本发明在金属半导体场效应晶体管中形成一个全包围沟道区的金属栅极，可以全面防止漏电流的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN101740618B | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN200810202458.X | 申请日期 | 2008.11.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 肖德元;季明华 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种金属半导体场效应晶体管，包括由金属形成的栅极和与栅极形成肖特基接触的由半导体材料形成的沟道区，其特征在于：所述栅极内设有通孔，所述沟道区至少部分位于所述通孔内。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江路18号 | ||