发明名称 |
检测高纯硅成分分析用的挥硅实验装置 |
摘要 |
本发明公开了检测高纯硅成分分析用的挥硅实验装置,包括封闭式或半封闭式的实验柜体,所述实验柜体中间是实验腔体,其特征在于:在实验腔体内设置有密闭的挥发实验柜,在挥发实验柜下部设置有实验柜加热装置,在可控条件下对设置在挥发实验腔内的实验容器进行加热;在挥发实验柜上设置有吸收管道与挥发实验柜的内腔连通,在吸收管道上设置有吸收处理装置;设置有实验气体源,实验气体源通过管道通入挥发实验柜的内腔。本发明的实验装置,提高在硅及其衍生物分析中样品处理的安全性和样品处理的平行性;把样品处理过程中硅里面其它成分的损失降到最低;能极大的缩短样品处理的时间;能提高实验的可靠性。 |
申请公布号 |
CN102323136A |
申请公布日期 |
2012.01.18 |
申请号 |
CN201110219721.8 |
申请日期 |
2011.08.02 |
申请人 |
重庆密奥仪器有限公司 |
发明人 |
张尚川;王邦义;高京海 |
分类号 |
G01N1/40(2006.01)I;G01N1/44(2006.01)I |
主分类号 |
G01N1/40(2006.01)I |
代理机构 |
重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 |
代理人 |
李晓兵 |
主权项 |
检测高纯硅成分分析用的挥硅实验装置,包括封闭式或半封闭式的实验柜体(1),所述实验柜体(1)中间形成中空的实验腔体(2),其特征在于:在实验腔体(2)内设置有密闭的挥发实验柜(3),在挥发实验柜(3)下部设置有实验柜加热装置(4),在可控条件下对设置在挥发实验腔(3)内的实验容器(5)进行加热;在挥发实验柜(3)上设置有吸收管道(6)与挥发实验柜(3)的内腔连通,在吸收管道(6)上设置有吸收处理装置(7); 在实验柜体(1)的内部或外部,设置有实验气体源(8),实验气体源(8)通过管道(9)通入挥发实验柜(3)的内腔。 |
地址 |
400020 重庆市江北区港城工业园区A区 |