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发明名称 Semiconductor device having a trench gate and method of manufacturing the same
摘要
申请公布号 EP1065710(B1) 申请公布日期 2011.12.28
申请号 EP20000305546 申请日期 2000.06.30
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 NINOMIYA, HIDEAKI
分类号 H01L29/78;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/739 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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