一种电容结构的形成方法

摘要

一种电容结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括套刻标记区和器件区；在所述套刻标记区和器件区上形成三层结构，所述三层结构包括依次位于所述基底上的第一金属层、介质材料层、第二金属层；刻蚀所述三层结构，在所述器件区上形成电容结构，包括：在所述三层结构表面形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀三层结构，直至暴露出所述第一金属层，形成位于所述器件区的上电极及介质层；接着，图案化刻蚀所述第一金属层。本发明提高套刻对准的精确度，避免探测信号进行对准测量时发生信号不稳定及错误信号的现象，进一步避免引起探测信号仪器的报警，提高电容结构的可靠性。

主权项

一种电容结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括套刻标记区和器件区，所述套刻标记区形成有第一标记，所述器件区形成有底层导电结构；在所述套刻标记区和器件区上形成三层结构，所述三层结构包括依次位于所述基底上的第一金属层、介质材料层、第二金属层；刻蚀所述三层结构，在所述器件区上形成电容结构，包括：在所述三层结构表面形成光刻胶层，位于所述器件区的光刻胶层与后续待形成的上电极及介质层对应；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀三层结构，直至暴露出所述第一金属层，形成位于所述器件区的上电极及介质层；接着，图案化刻蚀所述第一金属层，形成下电极，所述上电极、介质层及下电极构成电容结构，所述电容结构与所述底层导电结构电连接。