| 发明名称 | 刻蚀装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种刻蚀装置，包括反应室，反应室内部设有下电极，反应室的侧下方连接有抽气室，反应室下部的侧壁上设有圆环型凸起，圆环型凸起与下电极之间形成圆环型气体通道，反应室内的气体可通过圆环型气体通道进入抽气室。在进行半导体加工过程中，反应基团与被刻蚀晶片表面发生的化学反应速度差异较小，反应产物的分布均匀，刻蚀速率和刻蚀图形均具有较好的均匀性。同时由于本发明采用侧下抽气方式，有效解决了下抽气式刻蚀装置维护空间不足的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101355009B | 申请公布日期 | 2011.11.02 |
| 申请号 | CN200710119400.4 | 申请日期 | 2007.07.23 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 邢涛 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人 | 赵镇勇;姚巍 |
| 主权项 | 一种刻蚀装置，包括反应室，反应室内部设有下电极，反应室的侧下方连接有抽气室，其特征在于，所述反应室下部的侧壁与下电极之间设有圆环型气体通道，所述反应室内的气体可通过圆环型气体通道进入抽气室；所述反应室下部的侧壁上设有圆环型凸起，所述圆环型凸起与下电极之间形成圆环型气体通道；所述的圆环型凸起、圆环型气体通道与下电极的中心轴线同轴。 | ||
| 地址 | 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 | ||