发明名称 | 非易失性状态保持锁存器 | ||
摘要 | 电子电路使用锁存器,所述锁存器包括磁性隧道结(MTJ)结构及经布置以在所述MTJ结构中产生选择性状态的逻辑电路。因为所述选择性状态是以磁性方式维持,所以即使在从电子装置移除电力的情况下也可维持所述锁存器或电子电路的所述状态。 | ||
申请公布号 | CN102227777A | 申请公布日期 | 2011.10.26 |
申请号 | CN200980147665.2 | 申请日期 | 2009.12.03 |
申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 刘·G·蔡-奥安 |
分类号 | G11C11/00(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I;G11C14/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
主权项 | 一种在电子电路中使用的锁存器,所述锁存器包含:磁性隧道结(MTJ)结构;及经配置以在隐缩所述电子电路中的电力之前在所述MTJ结构中产生选定互斥状态的逻辑电路。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |