实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法

摘要

本发明涉及一种电学测量过程中实现探针针尖与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法，其特征在于将测试探针和待测样品串联到一外围直流电路中，缓慢调节探针升降旋钮，先粗调后细调，当探针针尖和样品表面接触时，外围直流电路导通，串接在直流回路中的报警器报警，表明针尖与样品已经接触上，可以进行样品的电学性能测量；具有有效地保护样品，避免纳米电极和相变材料被针尖划伤甚至扎穿，造成上、下电极短路；可以保护针尖本身，避免压力过大使针尖翘曲、变形，甚至断裂；可以实现低温、高温或其它环境下探针与电极的可靠接触。

主权项

一种实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法，所述的纳米电极是先利用高真空磁控溅射方法在SiO2衬底上淀积一层缓冲层，接着利用高真空磁控溅射方法原位沉积一层下电极，再在下电极上原位溅射生长相变材料，然后在相变材料上覆盖一层绝热介质层；再在绝热介质层上溅射上电极，然后利用电子束刻蚀技术制备出直径为100nm的电极，下电极共用，且所述下电极覆盖整个热氧化的SiO2的衬底，然后将靠近衬底边缘的某一区域作为探针接触区；其特征在于：(a)纳米量级下探针与下电极接触，纳米量级上探针悬空在上电极上方，将探针、待测样品串联接到一外围直流回路中，直流回路中串有一报警器；待测样品放置在具有X、Y方向的平面样品台上；所述的待测样品指相变存储器器件；(b)上探针带有控制其高度的升降旋钮，缓慢调节探针的升降旋钮，先以100μm/S的速度粗调，当探针快接触到上电极表面时，改用10μm/S的速度细调，当探针和样品刚好接触时，外围直流电路导通，串接在直流回路中的报警器发出报警信号，提示针尖与样品已经接触；(c)直流电路中有一开关，当报警器报警后，断开直流电路中的开关，将电学测量系统的接头插入接线盒的相应接孔，进行相变存储器单元的写、擦、读、存储和其它电学性能的测试。