发明名称 | 三氯硅烷制造装置及制造方法 | ||
摘要 | 提供能以较高的热效率将供给气体加热并能不损害热效率而实现装置的大型化、能大量生产的三氯硅烷制造装置。三氯硅烷制造装置(100)具备:反应容器(10),具备大致筒状的壁体(11)、将壁体的上端封闭的顶板(12)及将下端封闭的底板(13),通过设在壁体的下部的气体导入流路(11b)被供给包括四氯硅烷和氢的原料气体,生成包括三氯硅烷和氯化氢的反应气体;多个加热器(20),设在反应容器内,将原料气体加热;加热器具有被供电而发热的发热体(21)、和支承发热体的下端的承受台(22);在发热体上,沿着水平方向设有在其高度方向的中途位置且气体导入流路的上方配置的凸缘(23),在相邻的加热器间,形成有由凸缘缩窄的原料气体的流路(102)。 | ||
申请公布号 | CN102161489A | 申请公布日期 | 2011.08.24 |
申请号 | CN201110041339.2 | 申请日期 | 2011.02.17 |
申请人 | 三菱综合材料株式会社 | 发明人 | 村上直也;斎木涉 |
分类号 | C01B33/107(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/107(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 朱美红;杨楷 |
主权项 | 一种三氯硅烷制造装置,是由包括四氯硅烷和氢的原料气体制造三氯硅烷的装置,其特征在于,具备:反应容器,具备大致筒状的壁体、将该壁体的上端封闭的顶板及将下端封闭的底板,由上述原料气体生成包括三氯硅烷和氯化氢的反应气体;多个加热器,设置在上述反应容器内,将上述原料气体加热;在上述壁体的下部,设有用于将上述原料气体供给到被上述壁体、顶板、及底板包围的反应室的气体导入流路;上述加热器具有沿上下方向延伸、被供电而发热的发热体、和固定在上述底板上、支承该发热体的下端的承受台;在上述发热体上,沿着水平方向设有在其高度方向的中途位置且上述气体导入流路的上方配置的凸缘,在相邻的上述加热器间,形成有由上述凸缘缩窄的上述原料气体的流路。 | ||
地址 | 日本东京都 |