稳定等离子体处理的方法和设备

摘要

本发明提供一种利用空间分布经修改(spatially modified)的等离子体蚀刻衬底的方法和设备。在一个实施例中，该方法包括提供在衬底支承底座上方配置有等离子体稳定器的处理腔室。衬底被放置到底座上。处理气体被引入处理腔室，而等离子体就由此处理气体形成。用等离子体蚀刻衬底，而该等离子体具有由等离子体稳定器限定的离子密度与原子团密度比。

主权项

一种等离子体处理衬底的设备，其包括：处理腔室，其具有由腔顶板和腔壁限定的内部容积，所述腔壁耦合至地面；位于所述内部容积中的衬底支承底座；用来在所述处理腔室的所述内部容积内形成等离子体的RF电源；和等离子体稳定器，其位于所述处理腔室的内部容积内所述底座上方，并和所述腔顶板隔开，所述等离子体稳定器与地面电绝缘，所述等离子体稳定器的直径大于位于所述底座上的衬底的直径，所述等离子体稳定器将位于所述等离子体稳定器上方的保持有等离子体的第一处理区与位于所述等离子体稳定器下方的第二处理区隔开，所述等离子体稳定器位于所述底座上方，所述等离子体稳定器适合于控制等离子体的带电物质与电中性物质的空间分布，其中所述等离子体稳定器进一步包括：与所述腔壁和底座电绝缘的构件；穿透该构件形成的多个孔眼；和在所述底座上方支承所述构件的多个支承支柱。