一种应用于垂直温度梯度法或垂直布里奇曼法生长砷化镓单晶生长的原料腐蚀设备系统

摘要

本发明涉及一种应用于VGF/VB法GaAs单晶生长的原料腐蚀设备系统，其特征在于：它包括：纯水洗涤用槽及电阻加热设备；带排风系统的工作台；腐蚀原料盒，盒内置有固定装置，固定装置上置有原料移动手柄；以及烘干炉，所述的固定装置为网栅式，网栅内置待腐蚀GaAs原料。方法过程如下：把原料卡放在原料固定装置后，再全部放进原料腐蚀盒，打开排风系统，把腐蚀原料盒放到工作台上，倒进腐蚀液进行腐蚀，腐蚀规定的时间后，用热纯水冲洗干净后，放它烘干炉中烘干备用。本发明的优点是：使得在腐蚀原料时，原料容易装进容器，且容易固定，腐蚀过程中可以对原料进行翻动，使得腐蚀原料时能够干净且均匀，满足了生长单晶时对原料清洁度及化学计量比的需要。

主权项

一种应用于垂直温度梯度法或垂直布里奇曼法生长砷化镓单晶生长的原料腐蚀设备系统，其特征在于：它包括：纯水洗涤用槽及电阻加热设备；带排风系统的工作台；腐蚀原料盒，盒内置有固定装置，固定装置上置有原料移动手柄；以及烘干炉，所述的固定装置为网栅式，网栅内置待腐蚀GaAs原料。