| 发明名称 | 厚的赝晶氮化物外延层 | ||
| 摘要 | 将半导体结构制备成包括超过其预期临界厚度的应变外延层。 | ||
| 申请公布号 | CN101652832B | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200880003002.9 | 申请日期 | 2008.01.25 |
| 申请人 | 晶体公司 | 发明人 | L.J.肖沃尔特;J.A.斯马特;J.R.格兰达斯基;刘仕文 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李帆 |
| 主权项 | 半导体异质结构，包含：氮化铝单晶衬底；及外延生长于之上的至少一个应变层，所述层包含AlN、GaN、InN或者其任何两元或三元合金的组合中的至少一种，其中所述应变层的厚度超过与之相关的预期临界厚度的至少5倍，用Matthews‑Blakeslee理论计算所述预期临界厚度。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||