| 发明名称 | 半导体存储器、存储系统及其控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体系统、半导体存储器及其控制方法的各个实施例。在一个示例性实施例中，半导体存储器可以包括：第一电路区，配置为执行对应于一般操作命令的操作；和第二电路区，配置为将一般操作命令提供给第一电路区。所述第二电路可以被配置为基于分配给所述半导体存储器的目标识别信息和唯一识别信息，确定是否选择所述半导体存储器以执行所述操作。 | ||
| 申请公布号 | CN102054525A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN201010000947.4 | 申请日期 | 2010.01.21 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 尹相植 |
| 分类号 | G11C11/403(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/403(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;黄启行 |
| 主权项 | 一种半导体存储器，包括：第一电路区，配置为执行对应于一般操作命令的操作；以及第二电路区，配置为将所述一般操作命令提供给所述第一电路区，其中，所述第二电路区配置为：基于分配给所述半导体存储器的目标识别信息和唯一识别信息，确定所述半导体存储器是否被选择来执行所述操作。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||