发明名称 一种基于纳米谐振器的加速度传感器及其制造方法
摘要 本发明公开了一种基于纳米谐振器的加速度传感器,包括四根支撑梁、质量块和基底,悬空的质量块通过四根支撑梁与基底连接;基底、质量块和四支撑梁上覆盖有绝缘层,绝缘层上在四根支撑梁的端部设有八对电极,纳米谐振梁分别搭接并固定在相应的电极对上,纳米谐振梁采用半导体纳米线或半导体纳米管;纳米谐振梁、上金属电极对和下硅电极构成场效应晶体管结构,下硅电极与上金属电极对之间由绝缘层隔开,上金属电极对分别为源极和漏极,下硅电极为门电极。本发明还公开了一种制造该加速度传感器的方法和应用该加速度传感器测量加速度的方法。本发明采用半导体纳米线或半导体纳米管作为谐振梁,可以通过混频锁相技术实现传感器的高灵敏度测量。
申请公布号 CN101551404B 申请公布日期 2011.01.26
申请号 CN200910083747.7 申请日期 2009.05.11
申请人 清华大学 发明人 朱荣
分类号 G01P15/097(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I 主分类号 G01P15/097(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 张国良
主权项 一种基于纳米谐振器的加速度传感器,其特征在于,所述加速度传感器包括四根支撑梁、质量块和基底,悬空的质量块通过四根支撑梁与基底连接;基底、质量块和四支撑梁上覆盖有绝缘层,所述绝缘层上在四根支撑梁的端部设有八对上金属电极,纳米谐振梁分别搭接并固定在相应的上金属电极对上,所述纳米谐振梁采用半导体纳米线或半导体纳米管;所述半导体纳米线或半导体纳米管、上金属电极对和下硅电极构成场效应晶体管结构,下硅电极与上金属电极对之间由绝缘层隔开,上金属电极对分别为源极和漏极,下硅电极为门电极。
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