太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池元件

摘要

本发明提供一种元件特性比目前提高的超直型a-Si:H薄膜太阳能电池。通过在透明基板上形成的透明导电膜上附着磷的工序、和利用等离子CVD法在透明导电膜上依次形成由a-Si:H构成的p型层、i型层、及n型层的工序形成太阳能电池元件。磷的附着例如通过使含磷气体的等离子化来施行。或者，通过在等离子CVD法的p型层的形成开始时，用氢等离子体对设置于施加有等离子激起电压而没有载置透明基板的空白区域的磷供给源进行蚀刻来施行。优选按照i型层的硼的扩散范围内的硼和磷的浓度差的算术平均值ΔCav为1.1×1017(cm-3)≤ΔCav≤1.6×1017(cm-3)以下的方式控制磷的附着。

主权项

一种太阳能电池元件的制造方法，其特征在于，具备：准备形成有透明导电膜的透明基板的工序、在所述透明导电膜上附着n型掺杂剂的工序、在所述透明导电膜上依次形成p型层、i型层、及n型层的工序。