| 发明名称 | 激光退火方法以及激光退火装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及激光退火方法以及激光退火装置。在本发明中，使照射到非晶半导体膜(非晶硅等)上的矩形光束短轴方向的能量分布均匀。利用柱面透镜阵列(26)或波导(36)以及聚光光学系统(28，44)、或者利用包含衍射光学元件的光学系统，能够使矩形光束短轴方向的能量分布均匀。根据本发明，被照射到非晶半导体薄膜上的有效能量范围变宽，并且能够加速基板(3)的搬送速度，从而提高激光退火处理能力。 | ||
| 申请公布号 | CN101356624B | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN200680050867.1 | 申请日期 | 2006.11.07 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 西田健一郎;川上隆介;河口纪仁;正木深雪 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 宋海宁 |
| 主权项 | 一种激光退火方法，将从固体激光器光源射出的激光在非晶半导体膜的表面上聚光为矩形光束，一边使该矩形光束在其短轴方向上相对于非晶半导体膜进行相对移动一边进行照射，使该非晶半导体膜多晶化，该激光退火方法的特征在于，使通过波导并被分割后的激光通过由两个柱面透镜构成的Y方向端面转印光学系统，从而对所述非晶半导体膜照射将所述矩形光束的短轴方向的能量分布进行均匀化后的激光；在所述两个柱面透镜之间配置有Y方向干涉降低光学系统。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||