发明名称 具有沟道隔离的背照式薄型光电二极管阵列
摘要 本发明涉及具有沟道隔离的背照式薄型光电二极管阵列。沟道在衬底的一个面或者两个面上形成,并且在对具有沟道的面进行掺杂之后,沟道被填满以提供相邻光电二极管之间的电隔离。光电二极管阵列及形成这种阵列的方法的各种实施例被公开。
申请公布号 CN101861650A 申请公布日期 2010.10.13
申请号 CN200880111422.9 申请日期 2008.08.08
申请人 阿雷光电公司 发明人 A·O·古什查;G·帕帕多普洛斯;P·A·邓宁
分类号 H01L27/144(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/144(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 臧霁晨;李家麟
主权项 一种背照式光电二极管阵列,其包括:具有第一面和第二面的衬底;从所述衬底的第一面形成的光电二极管阵列;形成围绕每个光电二极管的互连矩阵的、所述衬底中的沟道;具有比所述衬底传导性能更好的、所述沟道的壁;被填满的所述沟道;其中所述沟道提供相邻光电二极管之间的电隔离。
地址 美国加利福尼亚州