发明名称 |
具有沟道隔离的背照式薄型光电二极管阵列 |
摘要 |
本发明涉及具有沟道隔离的背照式薄型光电二极管阵列。沟道在衬底的一个面或者两个面上形成,并且在对具有沟道的面进行掺杂之后,沟道被填满以提供相邻光电二极管之间的电隔离。光电二极管阵列及形成这种阵列的方法的各种实施例被公开。 |
申请公布号 |
CN101861650A |
申请公布日期 |
2010.10.13 |
申请号 |
CN200880111422.9 |
申请日期 |
2008.08.08 |
申请人 |
阿雷光电公司 |
发明人 |
A·O·古什查;G·帕帕多普洛斯;P·A·邓宁 |
分类号 |
H01L27/144(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/144(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
臧霁晨;李家麟 |
主权项 |
一种背照式光电二极管阵列,其包括:具有第一面和第二面的衬底;从所述衬底的第一面形成的光电二极管阵列;形成围绕每个光电二极管的互连矩阵的、所述衬底中的沟道;具有比所述衬底传导性能更好的、所述沟道的壁;被填满的所述沟道;其中所述沟道提供相邻光电二极管之间的电隔离。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |