| 发明名称 |
Vorrichtung und Verfahren zur simultanen Mikrostrukturierung und Dotierung von Halbleitersubstraten |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur simultanen Mikrostrukturierung und Dotierung von Halbleitersubstraten mit Bor, bei dem das Halbleitersubstrat mit einem in einem Flüssigkeitsstrahl angekoppelten Laserstrahl behandelt wird, wobei der Flüssigkeitsstrahl mindestens eine Borverbindung enthält. Verwendung findet das erfindungsgemäße Verfahren im Bereich der Solarzellen-Technologie sowie in anderen Bereichen der Halbleiter-Technologie, in denen eine lokal begrenzte Bor-Dotierung eine Bedeutung hat.</p> |
| 申请公布号 |
DE102009011308(A1) |
申请公布日期 |
2010.09.23 |
| 申请号 |
DE20091011308 |
申请日期 |
2009.03.02 |
| 申请人 |
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.;ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITAET FREIBURG |
发明人 |
MAYER, KUNO;KROSSING, INGO;KNAPP, CARSTEN;GRANEK, FILIP;MESEC, MATTHIAS;RODOFILI, ANDREAS |
| 分类号 |
H01L21/228;B81C1/00;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L21/228 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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