电解铜箔之制造方法、由该方法所制造之电解铜箔、使用该电解铜箔所获致之表面处理铜箔以及使用该电解铜箔或该表面处理铜箔所获致之铜覆层积板

摘要

以提供：可效率良好的生产相较于供给于以往市场之低轮廓电解铜箔还低之轮廓，且机械强度优良之电解铜箔之制造方法为目的。为达成此目的，采用：电解具有环状构造之4级铵盐聚合物与氯之硫酸系铜电解液来得到电解铜箔之制造方法，在前述硫酸系铜电解液中所含有之4级铵盐聚合物中，系使用2量体以上之DDAC聚合物之电解铜箔之制造方法等。又，在该4级铵盐聚合物中，使用数量平均分子量300~10000之二烯丙基二甲基氯化铵为佳。又，前述硫酸系铜电解液，也以含有双(3－磺丙基)二硫化物，或是具有巯基之化合物之3－巯基－1－丙烷磺酸为佳。

主权项

1.一种电解铜箔之制造方法，电解包含具有环状构造之4级铵盐聚合物与氯之硫酸系铜电解液来得到电解铜箔，其特征在于：在前述硫酸系铜电解液中所含有之4级铵盐聚合物中，系使用2量体以上之二烯丙基二甲基氯化铵聚合物之电解铜箔之制造方法，其中，前述硫酸系铜电解液中之4级铵盐聚合物浓度为1ppm~150ppm，前述硫酸铜系电解液中之氯浓度为5ppm~120ppm，及前述硫酸系铜电解液包含选自双(3-磺丙基)二硫化物及具有巯基之化合物之3-巯基-1-丙烷磺酸之1种以上，其浓度为0.5ppm~200ppm。 ;2.如申请专利范围第1项之电解铜箔之制造方法，其中，前述硫酸系铜电解液所包含之4级铵盐聚合物，为数量平均分子量300~10000之二烯丙基二甲基氯化铵聚合物。 ;3.如申请专利范围第1项之电解铜箔之制造方法，其中，将前述硫酸系铜电解液，在液温20℃~60℃，电流密度15A/dm 2 ~90A/dm 2 来电解。 ;4.一种电解铜箔，藉由申请专利范围第1项之制造方法所获致，其特征在于：该析出面侧之表面粗度(Rzjis)为1.0μm以下之低轮廓，且该析出面之光泽度(Gs(60°))为400以上。 ;5.一种铜覆层积板，其特征在于：使用申请专利第4项之电解铜箔所获致。 ;6.一种表面处理铜箔，其特征在于：在申请专利范围第4项有关之电解铜箔析出面上进行粗化处理、防锈处理、有机矽烷偶合剂处理之任1种或是2种以上之处理。 ;7.如申请专利范围第6项之表面处理铜箔，其中，与前述表面处理铜箔之绝缘树脂基材之贴合面之表面粗度(Rzjis)为2μm以下之低轮廓。 ;8.一种铜覆层积板，其特征在于：使用申请专利范围第6项之表面处理铜箔所获致。