发明名称 南桥晶片供电电路;POWER SPPPLY CIRCUIT FOR SOUTH BRIDGE CHIP
摘要 一种南桥晶片供电电路,包括一电压转换晶片、一控制电路及一电性连接所述电压转换晶片与控制电路之升压电路,所述控制电路接收来自电压转换晶片之驱动讯号与一第一电压,并根据接收到之驱动讯号将第一电压经所述升压电路转换为一第二电压为所述南桥晶片供电。
申请公布号 TWM384346 申请公布日期 2010.07.11
申请号 TW099201548 申请日期 2010.01.26
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 台北县土城市自由街2号 发明人 胡可友
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项 1.一种南桥晶片供电电路,包括一电压转换晶片及一控制电路,其改良在于:所述南桥晶片供电电路还包括一电性连接所述电压转换晶片与控制电路之升压电路,所述控制电路接收来自电压转换晶片之驱动讯号与一第一电压,并根据接收到之驱动讯号将第一电压经所述升压电路转换为一第二电压为所述南桥晶片供电。 ;2.如申请专利范围第1项所述之南桥晶片供电电路,其中所述电压转换晶片包括一电压驱动讯号输出端、一电压感应讯号输出端及一第一电压输出端,分别用以输出驱动讯号、一感应讯号及第一电压。 ;3.如申请专利范围第2项所述之南桥晶片供电电路,其中所述控制电路包括一电晶体、一第一电阻及一第一电容,所述电晶体之闸极经由第一电阻电性连接所述电压驱动讯号输出端,所述电晶体之汲极与第一电压输出端电性相连,所述电晶体之汲极还经由第一电容接地,所述电晶体之源极与南桥晶片电性相连。 ;4.如申请专利范围第3项所述之南桥晶片供电电路,其中所述电晶体为N沟道场效电晶体。 ;5.如申请专利范围第2或3项所述之南桥晶片供电电路,其中当所述电晶体之闸极接收到来自电压转换晶片之高电位之控制讯号时,所述控制电路于电晶体之源极输出经所述升压电路转换之第二电压。 ;6.如申请专利范围第2或3项所述之南桥晶片供电电路,其中当所述南桥晶片接收到第二电压时输出一回馈讯号至所述电压感应讯号输出端。 ;7.如申请专利范围第1至4中任意一项所述之南桥晶片供电电路,其中所述升压电路包括一第二电阻及一第三电阻,所述第二电阻一端与电晶体之源极电性相连,所述第二电阻另一端电性连接第三电阻一端,所述第二电阻另一端还电性连接所述电压感应讯号输出端,所述第三电阻另一端接地。 ;8.如申请专利范围第1至4中任意一项所述之南桥晶片供电电路,其中所述南桥晶片供电电路还包括一电性连接所述控制电路与南桥晶片之滤波电路,所述滤波电路包括一第二电容及一第三电容,所述电晶体之源极分别经由第二电容与第三电容接地。;图1系本创作南桥晶片供电电路较佳实施方式之框图。;图2系本创作南桥晶片供电电路较佳实施方式之电路图。
地址 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 台北县土城市自由街2号