垂直沟道型非易失性存储器件及其制造方法

摘要

一种垂直沟道型非易失性存储器件及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底上交替形成多个牺牲层和多个层间介电层；蚀刻牺牲层和层间介电层，以形成用于沟道的多个第一开口，每个第一开口均暴露所述衬底；填充第一开口以形成从半导体衬底突出的多个沟道；蚀刻牺牲层和层间介电层，以形成用于除去沟道之间的牺牲层的第二开口；通过除去由第二开口暴露出的牺牲层来暴露沟道的侧壁；和在沟道的暴露出的侧壁上形成隧道绝缘层、电荷俘获层、电荷阻挡层和用于栅电极的导电层。

主权项

一种制造垂直沟道型非易失性存储器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上交替形成多个牺牲层和多个层间介电层；蚀刻所述牺牲层和所述层间介电层以形成用于沟道的多个第一开口，每个开口均暴露出所述半导体衬底；填充所述第一开口以形成从所述半导体衬底突出的多个沟道；蚀刻所述牺牲层和所述层间介电层，以形成用于除去所述沟道之间的所述牺牲层的第二开口；通过除去通过所述第二开口暴露的所述牺牲层，暴露所述沟道的侧壁；和在所述沟道的所述暴露侧壁上形成隧道绝缘层、电荷俘获层、电荷阻挡层和用于栅电极的导电层。