| 摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumnitrid in zwei Stufen beschrieben, wobei man a) hochreines Silicium mit Stickstoff in einem Drehrohrofen mit einer ersten Temperaturzone von 1.150 bis 1.250 °C und mindestens einer weiteren Temperaturzone von 1.250 bis 1.350 °C in Gegenwart eines Gasgemisches, bestehend aus Argon und Wasserstoff, bis zu einem Stickstoffgehalt von 10 bis 30 Gew.-% umsetzt und b) das teilazotierte Produkt aus Stufe a) in einem Kammer- oder Setzofen im Ruhebett bei 1.100 bis 1.450 °C mit einem Gemisch aus Stickstoff, Argon und ggf. Wasserstoff bis zur Beendigung der Stickstoff-Aufnahme reagieren lässt. Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es möglich, hochreines Siliciumnitrid mit einer Reinheit von > 99,9 in technisch einfacher Weise herzustellen, wobei keinerlei weitere Reinigungsschritte, wie z. B. das Auslaugen mit anorganischen Säuren erforderlich ist.</p> |
