含磷矽氮烷组成物、含磷矽石质膜、含磷矽石质填充材料、含磷矽石质膜之制法及半导体装置

摘要

提供一种比介电常数为3.5以下之含磷矽石质材料。依照本发明之含磷矽氮院组成物，其特征在于：在有机溶剂中含有聚烷基矽氮烷、及至少一种之磷化合物。将该组成物涂布于基板上所得到的膜，以50~300℃之温度预先烧成，接着再藉由在温度为300~700℃之惰性氛围气中予以烧成，进而得到含磷矽石质膜。依照本发明之磷化合物，理想上是一种5价之磷酸酯或磷腈化合物。

主权项

一种含磷矽氮烷组成物，其特征在于：在有机溶剂中含有聚烷基矽氮烷、及至少一种之磷化合物，其中磷化合物是5价之磷酸酯或磷腈化合物，其中聚烷基矽氮烷系为含有以下述之通式(1)所代表的重复单位、以及至少是以下述之通式(2)或以下述之通式(3)所代表的单位中之一种的数平均分子量为100~50000之物；-(SiR1(NR2)1.5)-　　　(1)(上式中，R1及R2系分别独立地代表氢原子或碳原子数为1~3之烷基；惟，R1和R2均为氢原子之情况除外)；(上式中，R3、R4及R5系分别独立地代表氢原子或碳原子数为1~3之烷基；惟，R3和R4均为氢原子之情况除外)(在上式中，R6至R9系分别独立地代表氢原子或碳原子数为1~3之烷基；惟，R7、R8、R9全部为氢原子之情况除外)。