发明名称 用于微波功率放大器芯片的在片测试方法及其测试系统
摘要 本发明涉及一种用于微波功率放大器芯片在片测试的方法及其测试系统,属于微波通信中的芯片测试技术领域。特征在于通过脉冲方式的偏置电压大大降低了热量对微波功率放大器性能上的影响,真正的实现了芯片的探针台在片测试,免除了封装以及外部散热系统的安装。脉冲调制和脉冲产生装置利用了晶体管的开关特性来调制脉冲信号作为微波功率放大器的偏置。用直流脉冲信号连接在晶体管的栅极作为其栅极电压以控制晶体管沟道的开启和关闭,当脉冲信号的正压加载时,晶体管的沟道建立,连接在晶体管漏极的电流源就会通过沟道,施加电流在源极的负载上;当脉冲信号的零压加载时,晶体管的沟道就被截止,电流源就会无法通过沟道到达源级,负载上无电流通过。
申请公布号 CN101216528B 申请公布日期 2010.06.02
申请号 CN200810032651.3 申请日期 2008.01.15
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 张健;孙晓玮;李凌云;顾建忠;钱蓉
分类号 G01R31/28(2006.01)I 主分类号 G01R31/28(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 潘振甦
主权项 一种用于微波功率放大器芯片在片测试的方法,其特征在于用晶体管的开关特性,加载大电流的直流电平来调制脉冲信号发生器发出的脉冲信号使之达到功率放大器的直流工作要求;脉冲信号发生器发出的脉冲信号作为晶体管的栅极控制信号,控制沟道开启和关闭的速度,以调制最后得到的大电流脉冲信号的占空比和频率;所述的脉冲调制产生的方法是采用大电流直流电压源发出的直流电压连接在晶体管的漏极;当沟道开启时,信号通过源极加载在待测件的两端作为直流偏置,从而使待测件达到工作点。
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号