非易失性存储器和擦除该非易失性存储器的方法

摘要

在擦除作业期间将补偿电压施加至非易失性存储器系统以均衡存储单元的擦除行为。补偿电压可补偿从其他存储单元及/或选择栅电容性耦合至NAND串的存储单元的电压。可将补偿电压施加至一个或多于一个存储单元以大致正规化存储单元的擦除行为。可将补偿电压施加至NAND串的端存储单元以使其擦除行为与所述NAND串的内部存储单元均衡。也可将补偿电压施加至内部存储单元以使其擦除行为与端存储单元均衡。另外，可将补偿电压施加至NAND串的一个或多于一个选择栅以补偿从所述选择栅耦合至一个或多于一个存储单元的电压。可使用各种补偿电压。

主权项

一种擦除非易失性存储器的方法，其包括：施加补偿电压至非易失性存储元件串的一个或多个非易失性存储元件的控制栅极以至少部分地补偿从所述串的至少一个晶体管耦合至所述串的所述一个或多个非易失性存储元件的电压，所述施加补偿电压包含施加第一补偿电压至所述串的第一非易失性存储元件及施加第二补偿电压至所述串的第二非易失性存储元件，所述第一补偿电压不同于所述第二补偿电压；将第三电压施加至所述串的第三非易失性存储元件，所述第三电压不同于所述第一补偿电压和所述第二补偿电压；及从所述串的非易失性存储元件的至少一个子集的浮栅转移电荷，同时施加所述第一补偿电压、所述第二补偿电压和所述第三电压以便擦除所述非易失性存储元件串，非易失性存储元件串的所述至少一个子集包含所述第一非易失性存储元件、所述第二非易失性存储元件和所述第三非易失性存储元件。