发明名称 | 一种低弯曲薄片单晶硅太阳电池烧结工艺 | ||
摘要 | 本发明公开的低弯曲薄片单晶硅太阳电池烧结工艺是在RTP炉中富氧气氛下进行,依次经烘烤、分阶段不同升温速率升温、快速冷却,烧结过程不保温,因此烧结过程短,减小了能耗。该工艺可以在大规模丝印单晶硅太阳电池生产工艺上应用。经过该烧结工艺烧结后得到的电池片的弯曲度小于1mm,电池效率可以达到15%以上。从而能有效减小后续测试和组件封装时的破碎率,降低电池生产成本,有利于太阳电池的发展。 | ||
申请公布号 | CN100590896C | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
申请号 | CN200810060641.0 | 申请日期 | 2008.04.15 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 杨德仁;孙振华;朱鑫;汪雷 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
主权项 | 1.一种低弯曲薄片单晶硅太阳电池烧结工艺,其特征是包括以下步骤:将印刷有前后电极和铝浆的硅片放入快速热处理炉中,在含氧气体积为22%-50%的富氧空气下,首先在100℃-400℃温度下烘烤40s-120s,随后以10℃-30℃/s的升温速率升温到300℃-650℃,再以50℃/s-120℃/s的升温速率升温到700℃-900℃,随即以40℃/s-120℃/s的速率降温到室温。 | ||
地址 | 310027浙江省杭州市浙大路38号 |