| 发明名称 | 硅膜用CMP研磨液 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅膜用CMP研磨液，其能够获得用一种研磨液实施CMP时所需的硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜的研磨速度和研磨速度比，其中该CMP用于由可以降低半导体元件制造成本、提高产品率的自对准方式(self-alignment)来形成接触插塞(contact plug)，该硅膜用CMP研磨液含有研磨粒、阳离子性表面活性剂和水，pH为6.0～8.0。 | ||
| 申请公布号 | CN101622695A | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
| 申请号 | CN200880006201.5 | 申请日期 | 2008.02.05 |
| 申请人 | 日立化成工业株式会社 | 发明人 | 成田武宪;西山雅也;芦泽寅之助 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;C09K3/14(2006.01)I;B24B37/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟 晶 |
| 主权项 | 1.一种硅膜用CMP研磨液，其特征在于，含有研磨粒、阳离子性表面活性剂和水而成，pH为6.0～8.0。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||