等离子体处理设备

摘要

在一种在半导体晶片(5)上进行等离子体处理的等离子体处理设备中，提供有电极构件(46)的下电极(3)布置于作为真空腔(2)的主体的腔容器(40)的底部(40c)中，且上电极(4)布置在下电极(3)上方以上下移动，上电极(4)提供有从其下面向其外部边缘部分(51a)向下突出到外部边缘部分的下面的突出面。上电极(4)向下朝下电极(3)移动以使外部边缘部分(51a)与形成于腔容器(40)的侧壁部分(40a)中的中间水平(HL)的环形气密密封面(40d)接触，藉此在下电极(3)和上电极(4)之间形成气密密封处理空间(2a)。因此，常压空间(2b)在上电极(4)上方形成，且防止异常放电的发生，这样使得能够高效地进行稳定的等离子体处理。

主权项

1. 一种在板状的工件上进行等离子体处理的等离子体处理设备，包括：真空腔，包括作为主体的具有以环形形状延续的侧壁部分的柱状容器，开在所述侧壁部分以放入和取出工件的供给口，和在高于所述供给口的位置的所述侧壁内形成的密封面，门，其用于气密密封所述供给口，下电极，其被布置在由所述侧壁部分环绕的所述真空腔的底部内，所述工件适于放置在所述下电极的上面上，上电极，设置有与所述气密密封面接触的环形外部边缘部分、和从其下面向所述外部边缘部分内部突出到低于所述外部边缘的下面的位置的突出面，升降机构，所述升降机构设置在与真空腔的上部接触的上板上，用于上下移动所述上电极以使所述外部边缘部分与所述气密密封面接触，以因此在所述下电极和所述上电极之间形成密封处理空间，以及等离子体生成装置，其用于在所述处理空间中产生等离子体，选择阀门，其连接至真空腔中的内部空间，且一真空泵连接至选择阀门的抽吸部分。