发明名称 具有用于改善载流子迁移率和成像器中蓝光响应的应变硅层的像素
摘要 一种成像器,包含具有关联应变硅层的像素单元。该应变硅层提高了电荷转移效率,降低图像滞后,并改善了成像装置中的蓝光响应。
申请公布号 CN100524785C 申请公布日期 2009.08.05
申请号 CN200480025685.X 申请日期 2004.06.28
申请人 微米技术有限公司 发明人 C·穆利
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 张雪梅;梁 永
主权项 1. 至少一个像素单元,包含:半导体衬底,在其顶部包含应变硅层,该应变硅层包含:锗硅基底层;以及在该锗硅基底层上的硅层;以及光电传感器,形成在所述半导体衬底的上部区域内,用于产生电荷。
地址 美国爱达荷州