PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE MEMOIRE EEPROM

摘要

L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule d'une mémoire non volatile effaçable et programmable électriquement comprenant un transistor MOS (MEM) à double grille. Le procédé comprend les étapes consistant à prévoir un substrat semiconducteur recouvert d'une couche isolante comprenant une portion amincie et ayant une première face commune avec le substrat et une seconde face opposée à la première face ; et à incorporer de l'azote au niveau de la seconde face d'où il résulte que la concentration maximale d'azote est plus proche de la seconde face que de la première face.