| 发明名称 | 场效应管负温度不稳定性的晶片级可靠性平行测试方法 | ||
| 摘要 | 一种场效应管负温度不稳定性的WLR测试方法，将场效应管的各个端口通过探针卡与量测单元相连接，来测试场效应管的饱和电流；场效应管的栅极与漏极分别通过探针卡与量测单元相连接；所有场效应管的接地端口串联在一起通过探针卡接在同一个量测单元上；相邻的两个场效应管的源极串联起来通过探针卡接在同一个量测单元上。本测试方法能有效的减少测量时间，并降低静电的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101452042A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200710171603.8 | 申请日期 | 2007.11.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张卿彦;宋永梁 |
| 分类号 | G01R31/26(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈 蘅;李时云 |
| 主权项 | 1、一种场效应管负温度不稳定性的WLR测试方法，将场效应管的各个端口通过探针卡与量测单元相连接，来测试场效应管的饱和电流；其特征在于，场效应管的栅极与漏极分别通过探针卡与量测单元相连接；所有场效应管的接地端口串联在一起通过探针卡接在同一个量测单元上；相邻的两个场效应管的源极串联起来通过探针卡接在同一个量测单元上。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||