发明名称 ULSI多层铜布线化学机械抛光中平整度的控制方法
摘要 本发明涉及一种ULSI多层铜布线化学机械抛光中平整度的控制方法,其特征是:在碱性条件下选取高浓度的SiO<sub>2</sub>水溶胶为磨料,用不同倍数的去离子水稀释,同时加入金属离子螯合剂、非离子表面活性剂,在抛光进行前加入氧化剂;具体实施步骤如下:首先配制抛光液:a.将粒径15nm-20nm的SiO<sub>2</sub>磨料用1-3倍的去离子水稀释;b.加入金属离子螯合剂,调整上述溶液使pH值在10-13范围内;c.边搅拌边加入1%-10%体积分数的醚醇类活性剂;d.在抛光前,边搅拌边加入1%-3%体积分数的过氧化物氧化剂,如H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>,制成抛光液;然后在流量为1L/min-5L/min、温度为20℃-30℃、转速为60rpm-120rpm、压力为100g/cm<sup>2</sup>-250g/cm<sup>2</sup>的工艺条件下进行抛光。本发明工艺简单、效果显著。
申请公布号 CN100491073C 申请公布日期 2009.05.27
申请号 CN200610014302.X 申请日期 2006.06.09
申请人 河北工业大学 发明人 刘玉岭;刘博
分类号 B24B29/02(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I;C09G1/04(2006.01)I 主分类号 B24B29/02(2006.01)I
代理机构 天津市三利专利商标代理有限公司 代理人 刘英兰
主权项 1. 一种ULSI多层铜布线化学机械抛光中平整度的控制方法,包括步骤如下:首先配制用于降低ULSI多层铜布线塌边控制平整度的抛光液:a. 将粒径15nm-20nm的SiO2磨料用1-3倍的去离子水稀释;b. 加入金属离子螯合剂,调整上述溶液使pH值在10-13范围内;c. 边搅拌边加入1%-10%体积分数的醚醇类活性剂;d. 在抛光进行前,边搅拌边加入1%-3%体积分数的过氧化物氧化剂;然后在流量为1L/min-5L/min、温度为20℃-30℃、转速为60rpm-120rpm、压力为100g/cm2-250g/cm2的工艺条件下进行抛光。
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