| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法、以及电子设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法、以及电子设备。本发明的目的是简化在形成多层布线过程中处理布线所需的步骤。此外，当使用微滴排放法或纳米印刷法在具有相当长直径的接触孔中形成布线时，按照接触孔的形状形成布线，并且接触孔的布线部分相对于其它部分可能具有凹陷。通过使用具有高强度和高重复频率的激光照射透光绝缘膜来形成穿透开口。提供具有微小接触区域的多个开口，而不是形成一个具有大的接触区域的开口，以便通过减少局部凹陷而具有均匀厚度的布线，并且也确保接触电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN101436600A | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200810185259.2 | 申请日期 | 2006.01.20 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 桑原秀明;山本裕子 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦 晨 |
| 主权项 | 1. 一种有源矩阵显示装置，包括：在衬底上方形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅电极；在所述栅电极上方形成的栅极绝缘膜；以及包含金属氧化物的半导体膜，其中所述金属包括In；包含无机材料的绝缘膜，其在所述半导体膜上形成；以及像素电极，其在所述绝缘膜上形成并且电连接到所述薄膜晶体管。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||