发明名称 小面积、坚固矽介层结构及制程
摘要 一种半导体结构包括:至少一矽表面,其中该表面可以是一基板、晶圆或其他装置。该结构另外包括:于该至少一表面之每一侧之上形成至少一电子电路;及穿过该至少一表面的至少一导电高纵横比之穿矽介层。每一穿矽介层由至少一蚀刻步骤制成且包括:至少一热氧化物介电质用于涂布穿矽介层侧壁的至少某部分,以便稍后在制造该穿矽介层时用于蚀刻停止。
申请公布号 TW200921782 申请公布日期 2009.05.16
申请号 TW097120042 申请日期 2008.05.30
申请人 万国商业机器公司 发明人 保罗S 安卓;约翰M 寇特;约翰 乌瑞奇 尼克巴克;柯尼利亚K 曾
分类号 H01L21/3065(2006.01);H01L21/31(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 蔡玉玲
主权项
地址 美国