发明名称 |
小面积、坚固矽介层结构及制程 |
摘要 |
一种半导体结构包括:至少一矽表面,其中该表面可以是一基板、晶圆或其他装置。该结构另外包括:于该至少一表面之每一侧之上形成至少一电子电路;及穿过该至少一表面的至少一导电高纵横比之穿矽介层。每一穿矽介层由至少一蚀刻步骤制成且包括:至少一热氧化物介电质用于涂布穿矽介层侧壁的至少某部分,以便稍后在制造该穿矽介层时用于蚀刻停止。 |
申请公布号 |
TW200921782 |
申请公布日期 |
2009.05.16 |
申请号 |
TW097120042 |
申请日期 |
2008.05.30 |
申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
保罗S 安卓;约翰M 寇特;约翰 乌瑞奇 尼克巴克;柯尼利亚K 曾 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01);H01L21/31(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡玉玲 |
主权项 |
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地址 |
美国 |