半导体元件

摘要

一种半导体元件，其包括隔离结构、场植入区、闸极结构以及源极/汲极掺杂区。隔离结构位于基底中，于基底中定义出第一主动区与第二主动区与位于其两者之间的通道主动区。场植入区位于第一主动区、第二主动区以及通道主动区周围的部分隔离结构下方，其中通道主动区具有界定其通道宽度之二第一边缘，各第一边缘与其相邻之场植入区之一第二边缘相隔一间距d1，且各第一主动区与各第二主动区的之一第三边缘与场植入区之第二边缘延伸线之间具有最短的距离为d2，R＝d1/d2，其中0.15≦R≦0.85。闸极结构覆盖通道主动区并延伸至部分隔离结构上方。源极/汲极掺杂区分别位于第一主动区与第二主动区中。