发明名称 |
磁性随机处理存储器装置 |
摘要 |
本发明是提供一种磁性随机处理存储器装置,包括一存储单元,一参考结构,以及一感测装置。该存储单元包括一磁阻元件与一传递晶体管。该传递晶体管,参考电路,以及该感测装置是连接至一输入节点。该存储单元的逻辑态可通过一读取操作而侦测得到,其中该读取操作是利用该感测装置感测该输入节点的电压而达成。该输入节点的电压是依据该磁阻元件的状态而改变。该参考结构提供一电压压降,因此可允许该存储单元的读取电压增加,从而使读取时间减少。该磁阻元件可包括一介于两个电极层间的磁性穿隧结。该等电极层当中之一是连接至一位线,另一个则连接至该传递晶体管。该磁性随机处理存储器装置,具有较快速的读取时间。 |
申请公布号 |
CN100483543C |
申请公布日期 |
2009.04.29 |
申请号 |
CN200510132624.X |
申请日期 |
2005.12.23 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
廖忠志 |
分类号 |
G11C11/15(2006.01)I;G11C7/00(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/15(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
1. 一种磁性随机处理存储器装置,其特征在于,该磁性随机处理存储器装置包括:多个位线以行方向延伸;多个字线以列方向延伸;多个存储单元,对应所述字线与所述位线的交叉处设置成阵列的形态;其中,每一所述存储单元包括一磁阻元件与一传递晶体管,该传递晶体管具有一源极;多个输入节点,每一所述输入节点分别耦接设置于同一行方向的每一所述存储单元的传递晶体管的源极;一参考电路,包括多个分别耦接至所述输入节点的参考单元,通过一选取信号的控制而选取所述参考单元之一,用以撷取出所述输入节点之一的电压;以及一感测装置,用以感测该输入节点的电压,其中,该参考电路包括一第一节点耦接至该传递晶体管的源极,以及一第二节点耦接至一预定电压。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |