金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法

摘要

本发明涉及金和镍掺杂单晶硅片式热敏电阻，该热敏电阻采用涂源高温扩散方法，将过渡金属元素金和镍作为掺杂剂，掺入n型单晶硅中，利用金和镍在n型单晶硅中的电补偿性质，制备出负温度系数热敏材料，然后在精密划片机上划片，芯片两端制作电极，其电极采用镍、银两层结构，实现了硅晶体和电极之间的欧姆接触。所用硅热敏功能材料以单晶硅半导体为基础，掺杂金和镍金属原子，形成深能级俘获中心，使材料产生热敏特性，经过严格控制掺杂原子在硅中的浓度及其分布，易于实现用氧化物陶瓷热敏材料难以实现的高B值低阻值元件，并提高热敏材料和元件的一致性、重复性、稳定性。

主权项

1、一种金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻，其特征在于该热敏电阻是用金和镍的金属盐作为扩散源，掺入n型单晶硅中，利用深能级杂质在硅中形成的补偿特性制成单晶硅热敏材料，再通过表面化学镀镍电极、划片和沾银制成单晶硅片式负温度系数热敏电阻器。