| 发明名称 | 下栅极式薄膜晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种下栅极式薄膜晶体管，包含栅极、栅极绝缘层以及微结晶硅层。栅极配置于基板上，而栅极绝缘层由氮化硅材料制成，并配置于栅极与基板上。微结晶硅层则是配置于栅极绝缘层上，且对应于栅极。其中，栅极绝缘层与微结晶硅层接触的界面具有数个氧原子，且这些氧原子的浓度范围介于10<sup>20</sup>个原子/立方公分与10<sup>25</sup>个原子/立方公分之间。此外，一种制作下栅极式薄膜晶体管的方法也在此揭露。 | ||
| 申请公布号 | CN101393936A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200810175280.4 | 申请日期 | 2008.11.10 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 彭雅慧;曾以亚;黄坤富;陈志轩;林汉涂 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁 挥;祁建国 |
| 主权项 | 1. 一种下栅极式薄膜晶体管，其特征在于，包含：一栅极，配置于一基板上；一栅极绝缘层，由氮化硅材料制成，并配置于该栅极与该基板上；以及一微结晶硅层，配置于该栅极绝缘层上，且对应于该栅极；其中，该栅极绝缘层与该微结晶硅层接触的界面具有多数个氧原子，且该些氧原子的浓度范围介于1020个原子/立方公分与1025个原子/立方公分之间。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹 | ||