| 发明名称 | 发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 并不是所有在有机化合物层中产生的光都从作为透明电极的阴极向TFT取出。例如，光在横向(平行于衬底表面的方向)被发射，但是在横向发射的光没有被取出结果导致损失。因此，提供一种发光器件，其结构使得沿着特定方向取出的光的量增加，并提供此发光器件的制造方法。作为刻蚀处理的结果，绝缘体(19)的上边缘部分被弯曲具有曲率半径，沿弯曲面形成斜面同时部分露出第一电极的层(18c和18d)，第一电极的层(18b)暴露在作为发光区域的区域。从有机化合物层(20)发射的光被第一电极的斜面(层18c和18d)反射以增加在图1A中箭头指示的方向取出的光的总量。 | ||
| 申请公布号 | CN101369638A | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200810165601.2 | 申请日期 | 2003.04.23 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;濑尾哲史;桑原秀明 |
| 分类号 | H01L51/56(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L51/50(2006.01);H01L27/32(2006.01) | 主分类号 | H01L51/56(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李湘;王小衡 |
| 主权项 | 1.一种制造包括发光元件的发光器件的方法，该发光元件具有：阳极；含与阳极相接触的有机化合物的层；和与含有机化合物的层相接触的阴极，包括：形成覆盖为金属层的叠层的第一电极的边缘的绝缘体；用绝缘体作掩模通过刻蚀减薄第一电极的中心以便沿着第一电极的边缘暴露出斜面；在斜面上形成含有机化合物的膜；以及在含有机化合物的膜上形成第二电极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||