发明名称 MRAM mit magnetischem Via zur Speicherung von Information und Feldsensor
摘要 Es wird ein magnetisches Speicherelement offenbart. Dieses magnetische Speicherelement verfügt über eine magnetische Durchführung zum Speichern von Information aus einem magnetischen Material, und mit vertikaler Orientierung relativ zu einer Waferfläche, auf der das magnetische Speicherelement ausgebildet ist, wobei diese magnetische Durchführung über magnetische Anisotropie verfügt, wobei ihr Magnetisierungsvektor magnetisch mit mindestens einer Stromleitung gekoppelt ist, und ein magnetisches Sensorelement mit mindestens einer magnetischen Schicht, deren Magnetisierungsvektor magnetisch mit demjenigen der magnetischen Durchführung gekoppelt ist, wobei dieses magnetische Sensorelement leitend mit der mindestens einen Stromleitung verbunden ist.
申请公布号 DE102005035166(A1) 申请公布日期 2006.05.11
申请号 DE200510035166 申请日期 2005.07.27
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;ALTIS SEMICONDUCTOR SNC, CORBEIL ESSONNES CEDEX 发明人 BRAUN, DANIEL;LEUSCHNER, RAINER;KLOSTERMANN, ULRICH
分类号 H01L27/22 主分类号 H01L27/22
代理机构 代理人
主权项
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