| 主权项 |
1.一种IC封装体金属表面喷砂除墨法,其步骤包括:将具有金属表面之IC封装体置于封闭空间内;利用喷砂方法,予以移除位于该IC封装体金属表面之印墨;将该IC封装体取出于该封闭空间外;对该封闭空间内喷洒静电消除液,用以消除在该封闭空间内因移除该印墨时所产生之静电电荷;及清除沾附于该IC封装体表面之残屑。2.如申请专利范围第1项所述之IC封装体金属表面喷砂除墨法,其中该喷砂法移除该IC封装体金属表面之印墨时,磨粒经喷嘴喷射于该IC封装体金属表面,予以移除该印墨,可调整该喷嘴与该IC封装体金属表面间之角度,以达到最佳之印墨移除效果。3.如申请专利范围第2项所述之IC封装体金属表面喷砂除墨法,其中该喷砂法移除该IC封装体金属表面之印墨时,该磨粒经该喷嘴喷射于该IC封装体金属表面,予以移除该印墨,该喷嘴与该IC封装体金属表面间之角度较佳范围为30~60度。4.如申请专利范围第1项所述之IC封装体金属表面喷砂除墨法,其中该喷砂法移除该IC封装体金属表面之印墨时,该磨粒经该喷嘴喷射于该IC封装体金属表面,予以移除该印墨,可调整该喷嘴与该IC封装体金属表面间之距离,以达到最佳之印墨移除效果。5.如申请专利范围第1项所述之IC封装体金属表面喷砂除墨法,其中该喷砂法移除该IC封装体金属表面之印墨时,该磨粒经喷嘴喷射于IC封装体金属表面,予以移除该印墨,该喷砂法之磨粒系为树脂砂。6.如申请专利范围第1项所述之IC封装体金属表面喷砂除墨法,其中于该封闭空间内喷洒该静电消除液时,系以雾状方式喷洒该静电消除液于封闭空间内。7.如申请专利范围第1项所述之IC封装体金属表面喷砂除墨法,其中清除沾附于该IC封装体表面之残屑,系以加压空气清除。8.如申请专利范围第1项所述之IC封装体金属表面喷砂除墨法,其中去除沾附于该IC封装体表面之残屑后,另利用超音波清洗机清洗该IC封装体表面。9.一种IC封装体金属表面喷砂除墨法,其步骤包括:将具有金属表面之IC封装体置于封闭空间内;利用喷砂方法,予以移除位于该IC封装体金属表面之印墨;量测该封闭空间内之静电电压;将该IC封装体取出于该封闭空间外;对该封闭空间内喷洒静电消除液,用以消除该封闭空间内移除该印墨时所产生之静电电荷;及清除沾附于该IC封装体表面之残屑。10.如申请专利范围第9项所述之IC封装体金属表面喷砂除墨法,其中该喷砂法移除该IC封装体金属表面之印墨时,磨粒经喷嘴喷射于该IC封装体表面,予以移除该印墨,可调整该喷嘴与该IC封装体金属表面间之角度,以达到最佳之印墨移除效果。11.如申请专利范围第10项所述之IC封装体金属表面喷砂除墨法,其中该喷砂法移除该IC封装体金属表面之印墨时,该磨粒经该喷嘴喷射于该IC封装体表面,予以移除该印墨,该喷嘴与该IC封装体金属表面间之角度较佳范围为30~60度。12.如申请专利范围第9项所述之IC封装体金属表面喷砂除墨法,其中该喷砂法移除该IC封装体金属表面之印墨时,该磨粒经该喷嘴喷射于该IC封装体表面,予以移除该印墨,可调整该喷嘴与该IC封装体间之距离,以达到最佳之印墨移除效果。13.如申请专利范围第9项所述之IC封装体金属表面喷砂除墨法,其中于该封闭空间内喷洒该静电消除液时,系以雾状方式喷洒该静电消除液于该封闭空间内。14.如申请专利范围第9项所述之金属表面喷砂除墨法,其中清除沾附于该IC封装体表面之残屑,系以加压空气清除。15.如申请专利范围第9项所述之IC封装体金属表面喷砂除墨法,其中清除沾附于该IC封装体表面之残屑后,另利用超音波清洗机清洗该IC封装体表面。16.一种IC封装体金属表面喷砂除墨装置,系用以清除IC封装体金属表面之印墨,至少包括:一封闭空间;一喷嘴,系设置于该封闭空间内,用以喷射加速之磨粒;一可开启之工作窗口,系设置于该封闭空间之任一壁上,可将具有金属表面之IC封装体件放入及拿出该封闭空间;以及一静电压量测装置,系用以量测该封闭空间内之静电値。17.如申请专利范围第16项所述之IC封装体金属表面喷砂除墨装置,其中喷嘴具有可调整位置及喷射角度之功能。图式简单说明:第一图系为本发明采用之喷砂除墨示意图。第二图系为本发明之流程图。第三图系为本发明另一实施例之喷砂除墨示意图。第四图系为本发明另一实施例之流程图。 |
